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21.07.2026
15:00 Uhr
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Infineon eröffnet eine große Fab in Dresden. Elon Musk kritisiert die Benennung von Chip-Fertigungstechnik. Neue RAM-Varianten versprechen mehr Speed.
Da muss man Elon Musk mal recht geben: Die Bezeichnungen von Halbleiter-Fertigungsverfahren sind reines Marketing – c’t-Leser wissen das schon längst. Mit den kleinsten physischen Strukturbreiten auf den jeweiligen Chips haben die Namen von Herstellungsverfahren wie Intel 18A, Samsung SF2 oder TSMC N2 nichts zu tun. Musk schlägt vor, die Benennung sollte künftig wieder die tatsächliche Größe der kleinsten Strukturen aufgreifen und beispielsweise die kleinste Anzahl der Atome nennen, die sich damit anordnen lässt.
Anlass der Kritik von Elon Musk war die von IBM auf dem VLSI-Symposium 2026 vorgestellte „7-Ångström-Technik“. Die verspricht zwar tatsächlich erhebliche Vorteile, vor allem durch die vertikale Stapelung von n- und p-Kanal-Feldeffekttransistoren. Aber wie IBM selbst in einem Querschnittsbild aus dem Rasterelektronenmikroskop zeigt, haben die dünnen Blättchen (Sheets) der Nanosheet-Transistoren eine Stärke von 15 Silizium-Atomlagen. Und da der Abstand zwischen den Gitterebenen eines Siliziumkristalls je nach dessen Orientierung zwischen 3,14 und 5,43 Å beträgt, entspricht das 47 bis 81 Å, also 4,7 bis 8,1 Nanometer (1 Å = 0,1 nm). Fertigungspartner von IBM ist die japanische Firma Rapidus, die aber zunächst die schon 2021 von IBM angekündigte „2-Nanometer“-Technik umsetzt. Das 7-Å-Verfahren folgt frühestens 2030.
Um ganz andere Dimensionen geht es in der nagelneuen „Smart Power Fab“ von Infineon in Dresden. Denn die verarbeitet Silizium-Wafer zu Leistungshalbleitern, bei denen starke Ströme, niedriger Widerstand und geringe Schaltverluste wichtiger sind als feinste Strukturen. Obwohl: Ein paar logische Schaltungen, Sensoren und analoge Messverstärker will Infineon durchaus integrieren. Denn „Smart Power“ bezieht sich auch auf neuartige Bauelemente wie „ProFET Wire Guard“ mit eingebauter Messtechnik, die Schmelzsicherungen in modernen Autos ersetzen. Doch vor allem will Infineon vom KI-Boom profitieren und baut möglichst schnell zusätzliche Kapazitäten für Leistungshalbleiter auf, die in den Stromversorgungen von KI-Beschleunigern sitzen.